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高速銦鎵砷PIN光電二極管 800-2600nm TO-39封裝

簡要描述:高速InGaAs PIN光電二極管 600-1750nm TO-39封裝

  • 產(chǎn)品型號:
  • 廠商性質(zhì):經(jīng)銷商
  • 更新時間:2023-04-20
  • 訪  問  量:825

詳細介紹

品牌其他品牌價格區(qū)間面議
組成要素半導體激光器產(chǎn)品及設(shè)備產(chǎn)地類別進口
應(yīng)用領(lǐng)域化工,建材,電子
總覽

靈敏度波長范圍為800nm ~2600nm 的MTPD260T8-300是一個高靈敏度和高可靠性的產(chǎn)品系列, 非常適合于光通信設(shè)備??蛻艨梢远ㄖ品庋b形式。

高速銦鎵砷PIN光電二極管 800-2600nm TO-39封裝,高速銦鎵砷PIN光電二極管 800-2600nm TO-39封裝
通用參數(shù)

特點

響應(yīng)速度快

TO-39封裝

有效面積3.0mmФ/高靈敏度

光譜范圍800nm-2600nm


應(yīng)用

高速光通信

工業(yè)控制

分析氣體/水

激光測距

醫(yī)療


絕對最大額定參數(shù) (Ta=25oC)

參數(shù)符號主要指標單位

有效光敏面直徑

Ф

3.0mm

工作溫度范圍

Topr

40 to +85

oC

儲存溫度范圍

Tstg

40 to +125

oC



光電參數(shù) (Ta = 25oC)

參數(shù)

符號

條件

MIN

典型值

MAX

單位

擊穿電壓

VR

IR=10uA

--

--

1

V

靈敏度范圍

λ

VR=0V

800

--

2600

nm

暗電流

ID

VR=0V

--

80

--

nA

暗電流

ID

VR=1V

--

770

--

uA

響應(yīng)度

R

λ=2400nm

--

1.24

--

A/W

分流電阻

Shunt Resistance

RS

VR=10mV

--

0.5

--

kOhm

量子效率

QE

λ=1840nm

--

72

--

%

電容

C

VR =0V

--

3100

--

pF

電容

C

VR =1V

--

500

--

pF



封裝尺寸



單位: mm, 誤差: ±0.2


光譜響應(yīng)曲線


量子效率曲線




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