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簡要描述:非冷卻 光學(xué)浸沒 光電磁MCT紅外光伏探測(cè)器 2.0-12.0um PEMI系列PEMI系列是一款基于光電磁效應(yīng)的MCT紅外光伏探測(cè)器,并且采用光學(xué)浸沒的方式提高探測(cè)器的性能。光入射會(huì)使探測(cè)器內(nèi)部半導(dǎo)體產(chǎn)生的電子空穴對(duì)在磁場的作用下移動(dòng)
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品牌 | 其他品牌 | 產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 |
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應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,能源,建材,電子 |
非冷卻 光學(xué)浸沒 光電磁MCT紅外光伏探測(cè)器 2.0-12.0um PEMI系列
PEMI系列是一款基于光電磁效應(yīng)的MCT紅外光伏探測(cè)器,并且采用光學(xué)浸沒的方式提高探測(cè)器的性能。光入射會(huì)使探測(cè)器內(nèi)部半導(dǎo)體產(chǎn)生的電子空穴對(duì)在磁場的作用下移動(dòng)。該器件在10.6 μm處探測(cè)性能佳,是一款特別適用于探測(cè)連續(xù)波和低頻調(diào)制輻射的大感光面探測(cè)器。這款探測(cè)器被安裝在內(nèi)部含有磁性電路的特殊包裝中。3°楔形硒化鋅抗反射涂層(wZnSeAR)窗戶,可以防止不必要的干擾影響和污染。
產(chǎn)品特點(diǎn)
光譜范圍從 2.0 到 12.0 µm
環(huán)境溫度操作
無需偏見(No bias required)
沒有 1 / f 噪音(No 1/f noise)
從直流到高頻的操作
對(duì)紅外輻射極化敏感
產(chǎn)品應(yīng)用
● 醫(yī)學(xué)熱成像
● 紅外光譜分析
● 中紅外氣體吸收檢測(cè)
● 中紅外激光探測(cè)
參數(shù) | 探測(cè)器型號(hào) | |
PEMI-10.6 | ||
有源元件材料 | 外延MCT異質(zhì)結(jié)構(gòu) | |
最佳波長λopt(μm) | 10.6 | |
相對(duì)響應(yīng)強(qiáng)度D* (λpeak),cm·Hz1/2/W | ≥1.6×108 | |
相對(duì)響應(yīng)強(qiáng)度D* (λopt),cm·Hz1/2/W | ≥1×108 | |
電流響應(yīng)度-光敏面長度乘積Ri(λopt)·L,A·mm/W | ≥0.01 | |
時(shí)間常數(shù)T,ns | ≤1.2 | |
電阻R,Ω | 40-100 | |
感光面尺寸A,mm×mm | 1×1,2×2 | |
封裝 | PEM-SMA | PEM-TO8 |
接收角∅ | ~36° | |
窗口 | wZnSeAR |
SMA型尺寸
參量 | 數(shù)值 | |
浸沒微型透鏡形狀 | 超半球形 | |
光學(xué)區(qū)域面積AO;mm×mm | 1×1 | 2×2 |
R,mm | 0.8 | 1.25 |
A,mm | 9.3±0.40 | 10.65±0.40 |
備注:
?—接收角度;
R—超半球微型透鏡半徑
A—從PEM-SMA蓋子頂部到焦平面的距離
TO8封裝尺寸圖
參量 | 數(shù)值 | |
浸沒微型透鏡形狀 | 超半球形 | |
光學(xué)區(qū)域面積AO;mm×mm | 1×1 | 2×2 |
R,mm | 0.8 | 1.25 |
A,mm | 4.75±0.30 | 3.4±0.40 |
備注:
?—接收角度;
R—超半球微型透鏡半徑
A—從PEM-TO8頭部下表面到焦平面的距離
TO8引腳定義
功能 | 引腳號(hào) |
探測(cè)器 | 1,3 |
接地 | 11 |
未使用 | 2, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 12 |
使用和儲(chǔ)存注意事項(xiàng)
?在 10% 至 80% 的濕度和 -20°C 至 30°C 的環(huán)境溫度下運(yùn)行。
?光束功率限制:?CW 或單脈沖的輻照度必須大于 1 μs 對(duì)表觀光學(xué)有效區(qū)域的輻照度不超過 100 W/cm2,
?短于 1 μs 的脈沖輻照度不得超過 1 MW/cm2。
?存放在 10% 至 90% 濕度和 -20°C 至 50°C 環(huán)境溫度的暗處。
?飽和吸收功率 ~200 mW.
非冷卻 光學(xué)浸沒 光電磁MCT紅外光伏探測(cè)器 2.0-12.0um PEMI系列
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