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當前位置:首頁  >  產(chǎn)品展示  >  太赫茲系統(tǒng)  >  太赫茲透鏡/窗片/晶體  >  THZ-GASE-10-10-1GaSe(硒化鎵)晶體

GaSe(硒化鎵)晶體

簡要描述:太赫茲碲化鋅晶體 20x20x0.5mm
GaSe(硒化鎵)晶體的太赫茲振蕩能達到有非常寬的頻域,至41THz。GaSe是負單軸層狀半導(dǎo)體晶體,擁有六邊形結(jié)構(gòu)的62m空間點群,300K時禁帶寬度為2.2eV。GaSe晶體抗損傷閾值高,非線性系數(shù)大(54pm/V),非常合適的透明范圍,以及超低的吸收系數(shù),這使其成為中紅外寬帶電磁波振蕩的非常重要的解決方案。

  • 產(chǎn)品型號:THZ-GASE-10-10-1
  • 廠商性質(zhì):經(jīng)銷商
  • 更新時間:2022-03-30
  • 訪  問  量:885

詳細介紹

品牌其他品牌產(chǎn)地類別進口
應(yīng)用領(lǐng)域醫(yī)療衛(wèi)生,環(huán)保,化工,生物產(chǎn)業(yè),能源晶體規(guī)格10 x 10 x 1mm

太赫茲碲化鋅晶體 20x20x0.5mm


GaSe(硒化鎵)晶體的太赫茲振蕩能達到有非常寬的頻域,至41THz。GaSe是負單軸層狀半導(dǎo)體晶體,擁有六邊形結(jié)構(gòu)的62m空間點群,300K時禁帶寬度為2.2eV。GaSe晶體抗損傷閾值高,非線性系數(shù)大(54pm/V),非常合適的透明范圍,以及超低的吸收系數(shù),這使其成為中紅外寬帶電磁波振蕩的非常重要的解決方案。因?qū)拵掌澱袷幒吞綔y使用的是低于20飛秒的激光光源,GaSe發(fā)射-探測系統(tǒng)能獲得與ZnTe可比的甚至更好的結(jié)果。通過對GaSe晶體厚度的選取,我們可以實現(xiàn)對THz波的頻率可選擇性控制。

注:GaSe晶體的解理面為(001),因此對該晶體使用的一個很大限制在于質(zhì)軟,易碎。



晶體規(guī)格
10 x 10 x 1mm 
技術(shù)參數(shù)

GaSe晶體的透過率曲線

thz1.jpg

實驗室光路系統(tǒng)

thz2.png


EOS測量及反演結(jié)果

thz3.png

產(chǎn)品特點

● 太赫茲振蕩能達到有非常寬的頻域

● 抗損傷閾值高

● 非線性系數(shù)大

● CO2激光的SHG

● 多種尺寸可選

● 客戶導(dǎo)向的解決方案

● 接受客戶定制服務(wù)


產(chǎn)品應(yīng)用

● 太赫茲時域系統(tǒng)

● 太赫茲源晶體

● 中遠紅外氣體探測

●  CO2激光的SHG

● THZ實驗光源

● 太赫茲成像


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