產(chǎn)品分類

Product Category

光電探測(cè)器

單光子探測(cè)器/計(jì)數(shù)器光電倍增管其他光電探測(cè)器 Ge鍺光電探測(cè)器 Ge鍺光電二極管砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb InP磷化銦光電探測(cè)器 Si硅光電探測(cè)器 Si硅光電二極管 InGaAs銦鎵砷光電二極管 InGaAs銦鎵砷光電探測(cè)器 MCT碲鎘汞探測(cè)器

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詳細(xì)介紹

品牌	其他品牌	產(chǎn)地類別	進(jìn)口
應(yīng)用領(lǐng)域	化工,能源,建材,電子

PCI-2TE系列是基于復(fù)雜的MCT異質(zhì)結(jié)構(gòu)的兩級(jí)熱電冷卻紅外光電導(dǎo)探測(cè)器，采用光學(xué)浸沒(méi)來(lái)提高器件的性能，具有好的性能和穩(wěn)定性。探測(cè)器在λ_opt條件下性能達(dá)到好。截止波長(zhǎng)受GaAs透過(guò)率(~0.9μm)的限制。設(shè)備應(yīng)該在好的偏置電壓和電流讀出模式下工作。由于1/f噪聲，探測(cè)器在低頻時(shí)性能降低。1/f噪聲角頻率隨截止波長(zhǎng)增大而增大。3°楔狀藍(lán)寶石(wAl2O3)或硒化鋅抗反射涂層(wZnSeAR)窗口可防止不必要的干擾影響。

產(chǎn)品應(yīng)用

● 熱成像

● FTIR光譜學(xué)

● 激光外差探測(cè)

● 中紅外氣體分析

技術(shù)參數(shù)

參數(shù)	探測(cè)器型號(hào)
參數(shù)	PCI-2TE-5	PCI-2TE-6	PCI-2TE-9	PCI-2TE-10.6	PCI-2TE-12	PCI-2TE-13
有源元件材料	外延MCT異質(zhì)結(jié)構(gòu)
最佳波長(zhǎng)（μm）	5.0	6.0	9.0	10.6	12.0	13.0
相對(duì)響應(yīng)強(qiáng)度D* (λpeak,20kHz),cm·Hz1/2/W	≥4.0×1010	≥2.0×1010	≥8.0×109	≥2.8×109	≥1.0×109	≥4.0×108
相對(duì)響應(yīng)強(qiáng)度D* (λopt,20kHz),cm·Hz1/2/W	≥2.0×1010	≥1.0×1010	≥4.0×109	≥1.0×109	≥4.5×108	≥2.3×108
電流響應(yīng)度-活性面積長(zhǎng)度乘積Ri(λopt)·L,A·mm/W	≥3.0	≥1.5	≥0.225	≥0.1	≥0.05	≥0.03
時(shí)間常數(shù)T，ns	≤20000	≤4000	≤40	≤10	≤3	≤2
1/f噪聲角頻率fc,Hz	≤10k			≤20k
偏置電壓-光學(xué)區(qū)域長(zhǎng)度比Vb/LO,V/mm	≤0.2	≤0.32	≤0.2	≤0.225	≤0.15	≤0.18
電阻R,Ω	≤1200	≤800	≤400	≤300	≤200	≤150
工作溫度Tdet,K	～230
感光面尺寸，mm×mm	0.5×0.5,1×1,2×2
封裝	TO8,TO66
接收角?	～36°
窗口	wAl2O3	wZnSeAR