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當(dāng)前位置:首頁(yè)  >  產(chǎn)品展示  >  光電探測(cè)器  >  砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb  >  InAs-PVA-3-0.1×0.1紅外非冷卻InAs光伏探測(cè)器 2.15-3.5μm

紅外非冷卻InAs光伏探測(cè)器 2.15-3.5μm

簡(jiǎn)要描述:紅外非冷卻InAs光伏探測(cè)器 2.15-3.5μm PVA系列是基于InAs 1-x Sb x合金的非冷卻紅外光伏探測(cè)器。該設(shè)備具有高達(dá)300℃的溫度穩(wěn)定性以及高機(jī)械耐用,且不含汞和鎘,符合RoHS指標(biāo)要求

  • 產(chǎn)品型號(hào):InAs-PVA-3-0.1×0.1
  • 廠商性質(zhì):經(jīng)銷商
  • 更新時(shí)間:2022-08-08
  • 訪  問(wèn)  量:766

詳細(xì)介紹

品牌其他品牌產(chǎn)地類別進(jìn)口
應(yīng)用領(lǐng)域化工,能源,建材,電子

PVA系列是基于InAs 1-x Sb x合金的非冷卻紅外光探測(cè)器。該設(shè)備具有高達(dá)300℃的溫度穩(wěn)定性以及高機(jī)械耐用,且不含汞和鎘,符合RoHS指標(biāo)要求

產(chǎn)品特點(diǎn)

可探測(cè)紅外波長(zhǎng)范圍2-5.5μm

可配專用前置放大器

高溫度穩(wěn)定性與機(jī)械耐久性

封裝及尺寸

TO39型封裝外形尺寸圖

PVIA1.pngPVIA2.png

引腳定義

功能

引腳號(hào)

探測(cè)器

1(-),2(+)

接地

3

產(chǎn)品應(yīng)用

醫(yī)學(xué)熱成像

紅外光譜分析

中紅外激光探測(cè)

技術(shù)參數(shù)

參數(shù)

探測(cè)器型號(hào)

PVA-3

PVA-5

有源元件材料

外延InAs異質(zhì)結(jié)構(gòu)

外延InAsSb異質(zhì)結(jié)構(gòu)

波長(zhǎng)λopt(μm)

2.15±0.2

2.3±0.2

相對(duì)響應(yīng)強(qiáng)度D*   (λpeak),cm·Hz1/2/W

2.95±0.3

4.7±0.3

相對(duì)響應(yīng)強(qiáng)度D* (λopt),cm·Hz1/2/W

3.5±0.2

5.5±0.2

電流響應(yīng)度-光敏面長(zhǎng)度乘積Ri(λopt)·L,A·mm/W

≥5×109

≥5×108

時(shí)間常數(shù)T,ns

≥1.3

≥1.3

電阻R,Ω

≤20

≤60

元件工作溫度Tdet,K

≥2K

≥70

感光面尺寸A,mm×mm

0.1×0.1

封裝

TO39

接收角Φ

~90°

窗口

無(wú)


探測(cè)器光譜響應(yīng)特性曲線

PVA1.jpeg




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