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當(dāng)前位置:首頁  >  產(chǎn)品展示  >  半導(dǎo)體連續(xù)激光器  >  VCSEL激光器  >  V00145894.6nm, VCSEL單模垂直腔面發(fā)射激光器GaAs

894.6nm, VCSEL單模垂直腔面發(fā)射激光器GaAs

簡要描述:894.6nm, VCSEL單模垂直腔面發(fā)射激光器GaAs:以砷化鎵半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)研制,不同于LED(發(fā)光二極管)和LD(激光二極管)。結(jié)構(gòu)由鏡面,有源層和金屬接觸層組成。兩個發(fā)射鏡分別為P型,N型布拉格發(fā)射器。

  • 產(chǎn)品型號:V00145
  • 廠商性質(zhì):經(jīng)銷商
  • 更新時間:2022-08-08
  • 訪  問  量:1368

詳細(xì)介紹

品牌其他品牌價格區(qū)間面議
組成要素半導(dǎo)體激光器產(chǎn)品及設(shè)備產(chǎn)地類別進(jìn)口
應(yīng)用領(lǐng)域化工,建材,電子

       垂直腔面發(fā)射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser),簡稱VCSEL,是一種半導(dǎo)體激光器,其激光垂直于頂面射出。以砷化鎵半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)研制,不同于LED(發(fā)光二極管)和LD(激光二極管)。結(jié)構(gòu)由鏡面,有源層和金屬接觸層組成。兩個發(fā)射鏡分別為P型,N型布拉格發(fā)射器。有源區(qū)有量子肼組成,在P型DBR外表面制作金屬接觸層,形成歐姆接觸,并在P型DBR上制作一個圓形出口,輸出激光。

技術(shù)參數(shù)

應(yīng)用

原子鐘

磁力計


特點(diǎn):

包裝: 裸片

芯片工藝: GaAs 垂直腔面發(fā)射激光器

激光波長: 894.6 nm

輻射剖面: 單模

ESD: 250 V acc. to ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Class 1A)


最大額定值

Ta = 80°C


參數(shù)

符號


操作/焊接溫度

DC = 100%

TS

最小值

最大值

-20°C

110°C

儲存溫度

Tstg

最小值

最大值

-40°C

125°C

正向電流(保持單模)

直流操作;

DC = 100%; TS = 75°C

If

最大值

1.5 mA

正向電流

直流操作;

DC = 100%; TS = 75°C

If

最大值

3 mA

反向電壓

不適合反向操作

ESD 耐電壓

acc. to ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Class 1A)

VESD

最大值

250 V


注意:超出絕對最大額定值范圍的應(yīng)力可能會對設(shè)備造成損壞。



 

特點(diǎn)

Ta = 80°C, IF = 1.4 mA; DC = 100% - Group 3


參數(shù)

符號


正向電流

VF

典型值

1.78 V

輸出功率

Φ

典型值

0.3 mW

閾值電流

Ith

典型值

0.61 mA

斜率效能

SE

典型值

0.37 W / A

單模抑制比

SMSR

最小值

20 dB

偏振消光比5)

PER

最小值

15 dB

峰值波長

λpeak-v

最小值

典型值

最大值

894.1 nm

894.6 nm

895.1 nm

光譜線寬度

Λlinewidth

最大值

100   MHz

調(diào)頻調(diào)制帶寬

Fm

最小值

4.6 GHz

波長溫度系數(shù)

TCλ

典型值

0.06 nm / K

半峰全寬處視場(50% of Φmax)

φx

φY

典型值

典型值

12°

12°

1/e2處 視場

φx

φY

典型值

典型值

20°

20°


注意:波長,輸出功率根據(jù)操作溫度和電壓的變化而變化。




相對光譜發(fā)射 1)


220.png


輻射特征 1)



113.png

正向電流 1) 2)


221.png

光輸出功率 1) 2)


222.png


尺寸圖 3)





223.jpg






產(chǎn)品標(biāo)簽



垂直腔面發(fā)射激光器 (VCSEL)


型號:


生產(chǎn)商:    VIXAR INC

2355 POLARIS AVE N. SUITE 100

Plymouth, MN 55447USA



制造:     Bare Die by VIXAR

Fabricated or packaged by:

Vixar, Inc.

2355 POLARIS AVE N. SUITE 100

Plymouth, MN 55447, USA


晶片 #:

Mft Lot #:

生產(chǎn)日期:

數(shù)量:


符合FDACDRH21CFR 1040.10標(biāo)準(zhǔn),1040.11除外


器械與放射健康中心   登記號:1210159-000

產(chǎn)品編號:95R--DW





包裝






117.jpg



注意事項(xiàng)

根據(jù)操作模式的不同,這些設(shè)備發(fā)射出高度集中的可見光和非可見光,這可能對人眼有害。包含這些設(shè)備的產(chǎn)品必須遵循IEC 60825-1中給出的安全預(yù)防措施。


除其他物質(zhì)外,該裝置的子組件還含有金屬填充材料,包括銀。金屬填充材料可能會受到含有侵略性

物質(zhì)的環(huán)境影響。因此,我們建議客戶在存儲、生產(chǎn)和使用過程中盡量減少設(shè)備接觸腐蝕性物質(zhì)。當(dāng)

使用上述試驗(yàn)進(jìn)行試驗(yàn)時,顯示出可見變色的裝置在規(guī)定的試驗(yàn)持續(xù)時間內(nèi)未顯示出故障限值范圍內(nèi)

的性能偏差。


IEC60810中描述了相應(yīng)的故障限值。



術(shù)語

1)          典型值:由于半導(dǎo)體器件制造工藝的特殊條件,技術(shù)參數(shù)的典型數(shù)據(jù)或計算關(guān)聯(lián)只能反映統(tǒng)計數(shù)字。這些不一定對應(yīng)于每個產(chǎn)品的實(shí)際參數(shù),這些參數(shù)可能不同于典型值和計算相關(guān)或典型特征線。由于技術(shù)改進(jìn),這些典型值數(shù)據(jù)將被更改,恕不另行通知。

2)         測試溫度: TA = 85°C ± 2°C

3)         尺寸公差:除非圖紙中另有說明,公差以±0.1規(guī)定,尺寸以mm規(guī)定。

4)         波長:連續(xù)波長測量,分辨率±0.1 nm。

5)         偏振: 在安裝或封裝引起的模具應(yīng)力條件下,偏振消光比會降低。




訂購信息


描述

工作模式

訂購代碼

Group 1 - Die; 2222; 895; S; 1M;

S5,   S6, S7; 0.2mW; 0.16X0.20

Ta   = 60±10°C; IF = 1.4 mA; DC = 100%, 894.6nm

V00140 Group: 1

Group 2 - Die; 2222; 895; S; 1M;

S5,   S6, S7; 0.2mW; 0.16X0.20

Ta   = 70±10°C; IF = 1.4 mA; DC = 100%, 894.6nm

V00140 Group: 2

Group 3 - Die; 2222; 895; S; 1M;

S5,   S6, S7; 0.2mW; 0.16X0.20

Ta   = 80±10°C; IF = 1.4 mA; DC = 100%, 894.6nm

V00140 Group: 3

Group 4 - Die; 2222; 895; S; 1M;

S5,   S6, S7; 0.2mW; 0.16X0.20

Ta   = 90±10°C; IF = 1.4 mA; DC = 100%, 894.6nm

V00140 Group: 4

Group 5 - Die; 2222; 895; S; 1M; S5, S6, S7; 0.2mW; 0.16X0.20

Ta = 100±10°C; IF = 1.4 mA; DC = 100%, 894.6nm

V00140 Group: 5


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